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      格芯獲得3000萬美元政府基金研發GaN芯片

      作者:時間:2022-10-19來源:全球半導體觀察整理收藏

      據外媒《NBC》報道,近日,晶圓代工廠商格芯(GlobalFoundries)獲得3000萬美元政府基金,在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發和生產芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。

      本文引用地址:http://www.tpagfe.com/article/202210/439313.htm

      這些芯片被用于智能手機、射頻無線基礎設施、電動汽車、電網等領域。格芯稱,電動汽車的普及、電網升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來需求。

      格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield表示,芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。

      Caulfield在一份聲明中表示,“有了這筆新的聯邦資金,以及在2023年聯邦預算中可能獲得的進一步支持,GF完全有能力在佛蒙特州成為氮化鎵芯片制造的全球領導者?!?br/>



      關鍵詞: 格芯獲 GaN

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